ELETRÔNICA ANALÓGICA I
No circuito mostrado abaixo, a tensão no emissor (VE) é igual a - 0,7V. Se o β = 50, encontre o valor da corrente de emissor (IE), da corrente de base (IB), da corrente de emissor (IC) e da tensão de coletor (VC).
IE = 1 mA / IB = 19,2uA / IC = 0,98 mA / VC = +4,5V
IE = 1,33mA / IB = 26,68uA / IC = 1,33 mA / VC = +3,33V
IE = 0,93mA / IB = 18,2uA / IC = 0,91 mA / VC = +5,45V
IE = 0,93mA / IB = 18,2uA / IC = 0,91 mA / VC = +4,55V
IE = 1 mA / IB = 19,2uA / IC = 0,98 mA / VC = +5,1V
Escolha a alternativa que representa, respectivamente, os nomes das regiões indicadas por A, B e C:
região ativa, região de corte e curva de saturação
região de corte, região ativa e região de potência máxima
região de potência máxima, região de corte e região de amplificação
região ativa, região de corte e curva de potência máxima
Região Ativa, região de corte e região de saturação
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um bom condutor e a de um isolante.
Em relação a esses tipos de materiais, assinale a alternativa correta.
Um semicondutor extrínseco apresenta o maior grau de pureza disponibilizado pela tecnologia utilizada na sua fabricação.
Materiais semicondutores possuem coeficiente de temperatura positivo.
Um semicondutor intrínseco foi submetido ao processo de dopagem para inserção controlada de impurezas.
Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna, de portador minoritário.
Um átomo pentavalente, composto por 5 eletróns na camada de valência, é utilizado na dopagem do material tipo P.
Escolha a alternativa que representa o valor de VCE, porém para um valor de Beta = 135 e não igual a 90 como mostrado:
2,89V
3,26V
2,92V
1,56V
3,57V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
IE = 1 mA / IB = 19,2uA / IC = 0,98 mA / VC = +4,5V
IE = 1,33mA / IB = 26,68uA / IC = 1,33 mA / VC = +3,33V
IE = 0,93mA / IB = 18,2uA / IC = 0,91 mA / VC = +5,45V
IE = 0,93mA / IB = 18,2uA / IC = 0,91 mA / VC = +4,55V
IE = 1 mA / IB = 19,2uA / IC = 0,98 mA / VC = +5,1V
Escolha a alternativa que representa, respectivamente, os nomes das regiões indicadas por A, B e C:
região ativa, região de corte e curva de saturação
região de corte, região ativa e região de potência máxima
região de potência máxima, região de corte e região de amplificação
região ativa, região de corte e curva de potência máxima
Região Ativa, região de corte e região de saturação
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um bom condutor e a de um isolante.
Em relação a esses tipos de materiais, assinale a alternativa correta.
Um semicondutor extrínseco apresenta o maior grau de pureza disponibilizado pela tecnologia utilizada na sua fabricação.
Materiais semicondutores possuem coeficiente de temperatura positivo.
Um semicondutor intrínseco foi submetido ao processo de dopagem para inserção controlada de impurezas.
Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna, de portador minoritário.
Um átomo pentavalente, composto por 5 eletróns na camada de valência, é utilizado na dopagem do material tipo P.
Escolha a alternativa que representa o valor de VCE, porém para um valor de Beta = 135 e não igual a 90 como mostrado:
2,89V
3,26V
2,92V
1,56V
3,57V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
região ativa, região de corte e curva de saturação
região de corte, região ativa e região de potência máxima
região de potência máxima, região de corte e região de amplificação
região ativa, região de corte e curva de potência máxima
Região Ativa, região de corte e região de saturação
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está entre a de um bom condutor e a de um isolante.
Em relação a esses tipos de materiais, assinale a alternativa correta.
Um semicondutor extrínseco apresenta o maior grau de pureza disponibilizado pela tecnologia utilizada na sua fabricação.
Materiais semicondutores possuem coeficiente de temperatura positivo.
Um semicondutor intrínseco foi submetido ao processo de dopagem para inserção controlada de impurezas.
Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna, de portador minoritário.
Um átomo pentavalente, composto por 5 eletróns na camada de valência, é utilizado na dopagem do material tipo P.
Escolha a alternativa que representa o valor de VCE, porém para um valor de Beta = 135 e não igual a 90 como mostrado:
2,89V
3,26V
2,92V
1,56V
3,57V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
Um semicondutor extrínseco apresenta o maior grau de pureza disponibilizado pela tecnologia utilizada na sua fabricação.
Materiais semicondutores possuem coeficiente de temperatura positivo.
Um semicondutor intrínseco foi submetido ao processo de dopagem para inserção controlada de impurezas.
Em um material do tipo n, o elétron é chamado de portador majoritário, e a lacuna, de portador minoritário.
Um átomo pentavalente, composto por 5 eletróns na camada de valência, é utilizado na dopagem do material tipo P.
Escolha a alternativa que representa o valor de VCE, porém para um valor de Beta = 135 e não igual a 90 como mostrado:
2,89V
3,26V
2,92V
1,56V
3,57V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
2,89V
3,26V
2,92V
1,56V
3,57V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
VCE = 17,19V; Icq = 1,45mA
VCE = 10,19V; Icq = 1,35mA
VCE = 19,19V; Icq = 1,55mA
VCE = 18,29V; Icq = 1,45mA
VCE = 14,19V; Icq = 1,25mA
Escolha a alternativa que representa o valor da relação entre a corrente de coletor Ic = 10mA e a corrente de emissor Ie = 11mA;
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
0,9563
0,9090
0,9658
0,9909
0,8593
Determine V0 e I para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
(a) Vo = - 4,5 V, I = - 5,1 mA (b) Vo = - 8,22 V, I = - 0,233 mA
(a) Vo = 4,5 V, I = 5,1 mA (b) Vo = 8,22 V, I = 0,233 mA
(a) Vo = - 9,7 V, I = - 9,7 mA (b) Vo = - 14,6 V, I = - 0,533 mA
(a) Vo = 0 V, I = 0 mA (b) Vo = 0 V, I = 0 mA
(a) Vo = 9,7 V, I = 9,7 mA (b) Vo = 14,6 V, I = 0,533 mA
Determine a corrente (Id), a tensão (V2) e a tensão de saída (Vo), considerando o diodo de silício.
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;
Calcule o valor de α (alfa) para um transistor que possui ie = 4mA e ic = 3,98mA e assinale a alternativa correta
Id = 293uA ; V2 = 0V ; Vo = 29,3V ;
Id = 0A ; V2 = 30V ; Vo = 0V ;
Id = 0A ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 28,6V ;
Id = 286uA ; V2 = 0,7 ; Vo = 29,3V ;